Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Термины и определения

ГОСТ Р 52081-2003

Группа Т51

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ

Метод магнитной памяти металла.
Термины и определения

Non-destructive testing. Method of metal magnetic memory. Terms and definitions

ОКС 77.040
ОКСТУ 0009

Дата введения 2004-04-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика"

2 ПРИНЯТ И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Госстандарта России от 10 июня 2003 г. N 191-ст

3 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Введение

Установленные в стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Приведенные определения можно при необходимости изменить, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся к определяемому понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.

1 Область применения

     1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области неразрушающего метода контроля методом магнитной памяти металла.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла, входящих в сферу работ по стандартизации и / или использующих результаты этих работ.

2 Термины и определения

1 магнитная память металла; МПМ: Последствие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок.

Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле и другие внешние поля в области Релея.

2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокации под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла.

Примечание - СМПР характеризует МПМ.

3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений.

4 магнитодислокационный гистерезис: Гистерезис, обусловленный закреплением доменных границ на скоплениях дислокации в слабом магнитном поле.

5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия (): Минимальное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами скольжения слоев металла, возникающее при потере устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок.

Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки.

6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия методом магнитной памяти металла.

7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними.

8 магнитный показатель деформационной способности металла (): Отношение максимального значения градиента СМПР к среднему значению.

9 предельный магнитный показатель деформационной способности металла (): Отношение максимального значения градиента СМПР, соответствующего пределу прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, соответствующему пределу текучести металла.

10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем.

11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР (): Расстояние между двумя каналами измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика.

12 график СМПР: Магнитограмма, отображающая изменение СМПР по длине контролируемого участка.

13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния методом магнитной памяти металла.

14 калибровка аппаратуры методом МПМ: Настройка датчиков измерений магнитного поля рассеяния на эталонной катушке и измерения длины на эталонной мере длины методом магнитной памяти металла.

15 установка режима работы аппаратуры методом МПМ: Настройка аппаратуры по пунктам главного меню прибора в соответствии с методом МПМ.

16 помехи при измерениях методом МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля.

Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля:

- источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля;

- наличие на объекте контроля постороннего ферромагнитного изделия;

- наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля;

- наличие искусственный намагниченности металла

Алфавитный указатель терминов